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| 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2013-09-22 09:15:34 浏览次数： |
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专利名称：一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法
专利持有人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
所属行业：
内容摘要：本发明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法可以在不损伤碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理抛光法带来的周期长、耗时多和容易改变碳化硅基底的镜胚面形的技术风险问题，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具... |
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发明人：王彤彤,高劲松,王笑夷
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请号：CN201310066232.2
本发明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法包括如下步骤：步骤一：将浓度为50%的氢氧化钠溶液与水按照体积比1：10配置成溶液，再用配好的氢氧化钠溶液清洁镀有硅厚膜的碳化硅基底10分钟；步骤二：将浓度为68%的硝酸与水按照体积比1：3配置硝酸溶液，并用配好的硝酸溶液清洁镀有硅厚膜的碳化硅基底5分钟；步骤三：将浓度为68%的硝酸与浓度为40%的氢氟酸按照体积比5：1配制成硝酸和氢氟酸的混合溶液；步骤四：使用脱脂棉蘸取步骤三中配制好的硝酸和氢氟酸的混合溶液均匀涂于碳化硅基底的硅厚膜上，对硅厚膜进行腐蚀溶解；步骤五：待硅厚膜完全溶解后，使用脱脂棉蘸取碳酸钙粉末擦拭碳化硅基底表面以去除残余液体，然后用清水冲洗碳化硅基底表面直至清洁；步骤六：将碳化硅基底自然风干，然后检查碳化硅基底上的硅厚膜是否彻底清除；步骤七：若碳化硅基底上的硅厚膜仍有残余，则重复第四步至第六步的过程；若碳化硅基底上的硅厚膜已彻底清除，则继续进行步骤八；步骤八：用脱脂棉蘸取氧化铈粉末擦拭碳化硅基底表面10分钟，然后用清水冲洗碳化硅基底表面直至清洁；步骤九：使用酒精超声清洗碳化硅基底20分钟，完全去除碳化硅基底上的硅厚膜。
本发明的有益效果是：该方法可以在不损伤碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理抛光法带来的周期长、耗时多和容易改变碳化硅基底的镜胚面形的技术风险问题，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具有很高的实用价值。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0922/20130922091950666.pdf |
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