|
| |
| |
| 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2013-11-25 09:02:16 浏览次数： |
 |
专利名称：一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
专利持有人：哈尔滨工业大学
所属行业：
内容摘要：一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制... |
|
|
|
发明人：叶枫,刘强,刘仕超,杨海霞,侯赵平
申请人：哈尔滨工业大学
申请号：CN201310229375.0
一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，其特征在于一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷以碳化硅粉体及烧结助剂为原料，采用冷冻浇注法成型，经干燥后烧结制备而成，在冷冻浇注的浆料中，按照体积百分比，碳化硅粉体和烧结助剂的混合粉体为5～60%，去离子水为95～40%;碳化硅粉体和烧结助剂的混合粉体、分散剂、粘结剂和消泡剂的质量比为1:(0.001～0.03):(0.005～0.03):(0.001～0.01);碳化硅粉体和烧结助剂的混合粉体中烧结助剂的质量分数为1～50%。
本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制备；方法：一、制备浆料；二、制备多孔碳化硅陶瓷生坯；三、制备预氧化多孔碳化硅陶瓷坯体；四、制备钡长石原位结合的多孔碳化硅陶瓷；五、高温热处理。本发明制备的多孔陶瓷孔隙率可达20vol%-82vol%，孔径为0.1-300μm；气孔率为48v0l%时，抗弯强度可达63MPa；孔壁中原位生成长棒状碳化硅晶粒。本发明用于制备具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/1125/20131125090504328.pdf
|
|
|
|
|
| |
|
| |
|
|
|
|
|
|
