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| 物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底 |
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（中国粉体技术网 班建伟）碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮...[详细] |
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| 无压烧结制备表面微孔碳化硅陶瓷 |
| 浙江大学郭兴忠等以碳化硅(SiC)微粉为骨料,Al2O3-Y2O3为烧结助剂,氯化钙(CaCl2)作为造孔剂,采用无压液相烧结制备了表面微孔SiC陶瓷,分析了不同CaCl2含量对SiC陶瓷的烧结性能、显微结构和摩擦性能的影响。结果表...[详细] |
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| 木纤维基碳化硅木质陶瓷制备工艺 |
| 北京林业大学高建民等以杨木纤维为原料,经无胶热压成型、碳化及液相渗硅制备木纤维基碳化硅木质陶瓷。优化了热压工艺并获得具有均一截面密度分布的杨木纤维热压成型体,验证了碳坯对反应烧结工艺的适应性。通过X...[详细] |
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| 化学镀法制备钴包覆碳化硅复合粉末的研究 |
| 武汉理工大学周超兰等采用化学镀法制备钴包覆碳化硅复合粉末,通过研究化学镀过程中钴盐浓度、还原剂浓度、络合剂浓度、缓冲剂浓度、温度以及pH值等因素对沉积速率的影响规律,得到化学镀钴的优化条件。利用XRD、SE...[详细] |
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| 低热膨胀系数纳米碳化硅/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能 |
| 北京化工大学和北京科技大学吕静等以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺(n-SiC/PI)复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪(TMA)、阻抗分析仪和热重分析(TG)研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳...[详细] |
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| 掺杂碳化硅对纳米炭黑导电和吸波性能的影响 |
| 西安高科技研究所吴友朋等在纳米炭黑中添加微米碳化硅制备了一种新型的复合吸收剂,并进行形貌表征、导电性能和微波吸收性能的测试。测试结果表明:加入碳化硅使得炭黑/环氧树脂复合涂层体电阻率和渗流阈值降低;...[详细] |
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| 碳化硅/环氧树脂导热复合材料的制备与性能 |
| 西北工业大学顾军渭等采用浇铸成型法制备碳化硅/环氧树脂(SiC/EP)导热复合材料,研究了SiC种类、粒径、用量和表面改性方法对SiC/EP复合材料的导热性能、力学性能和热性能等影响。结果表明:SiC/EP复合材料的导热...[详细] |
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