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| 一种碳化硅基复合材料表面SiC涂层的制备方法 |
| 本发明涉及一种复合材料表面SiC涂层的制备方法,属于氧化防护技术领域。本发明采用反应熔渗法制备涂层,可实现制备涂层的同时进一步提高基材的致密度；通过碳源去除多余熔体,可形成均匀平整的SiC涂层。[详细] |
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| 一种超薄碳化硅材料的制备方法 |
| 本发明涉及一种超薄碳化硅材料的制备方法，本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了石墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。[详细] |
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| 一种作为有机复合材料增强体的碳化硅粉体的制备方法 |
| 本发明公开了一种作为有机复合材料增强体的碳化硅粉体的制备方法，本发明能够有效改善碳化硅粉体与有机复合材料的亲和性，提高其填充时的相容性和分散性，改善制品的综合性能，且工艺简单，容易控制。[详细] |
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| 一种汽车用含SiC颗粒的高强高模量稀土镁基复合材料 |
| 本发明公开了一种含SiC颗粒的高强高模量稀土镁基复合材料。它包括下述重量百分比含量的组分：1 0～15 0%重稀土，1 0～10 0%钇和 或钕，1 0～15 0%SiC，余量为镁；各组分重量百分之和为100%。[详细] |
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| 一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法 |
| 本发明是一种高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其原理为利用造孔剂和磷酸盐粘结作用在较低温度下形成高孔隙率的氮化硅多孔结构，在后续高温烧制过程中利用纳米硅粉的氮化原位生成氮...[详细] |
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| 双层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
| 本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜由上、下两层氮化硅膜构成，下层氮化硅膜厚度为10nm～15nm，折射率为2 2～2 5，上层氮化硅膜厚度为70nm～75nm，折射率为2 0～2 05。制...[详细] |
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| 碳化硅滤饼旋流提纯工艺 |
| 本发明涉及碳化硅滤饼旋流提纯工艺，步骤如下：(1)碳化硅滤饼与水按重量比2∶3混合搅拌均匀；(2)碳化硅滤饼悬浮液经过200目振动筛过筛；(3)将碳化硅滤饼悬浮液输入旋流器进行旋流；(4)将步骤(3)获得的下层碳化...[详细] |
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| 一种纳米级碳化硅镁合金材料的制备方法 |
| 本发明提供了一种纳米级碳化硅镁合金材料的制备方法，该方法通过将轻质纳米级碳化硅材料经过颗粒细化处理、均匀弥散分布在镁合金材料中制备得到一种纳米级碳化硅镁合金材料，该纳米级碳化硅镁合金材料由以下组分...[详细] |
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