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本发明涉及一种制备复杂形状多孔氮化硅陶瓷制品的方法，首先将Si3N4粉、Si粉、烧结助剂，造孔剂、硅溶胶制备混合浆料。[详细]

本发明涉及一种制备复杂形状多孔氮化硅陶瓷制品的方法，首先将Si3N4粉、Si粉、烧结助剂，造孔剂、硅溶胶制备混合浆料。[详细]

本发明涉及一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法，所述方法包括：1）将氮化硅粉体、烧结助剂、粘结剂与水混合球磨，得到水基浆料；2）将水基浆料在50~90kPa的真空度下发泡并同时进行冷冻冻结，然后进行冷冻干燥...[详细]

本发明提供了一种氮化硅溶液及其制备方法。所述氮化硅溶液的制备方法，包括：将氮化硅粉末与去离子水混合，然后加入盐酸，搅拌后得到氮化硅溶液。本发明还提供了多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法。所述多晶硅铸锭用...[详细]

本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀...[详细]

本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法，优化了工艺，减小成本，同时能够改善器件性能。[详细]

发明人：郑治祥，姜坤申请人：合肥工业大学申请号：CN201210045285.1 本发明公开了一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法，是以水玻璃为硅源，常温下将氯化铵溶液搅拌加入水玻璃溶液中制备得到硅酸凝胶，向硅酸...[详细]

发明人：李江涛，杨建辉，杨增朝，韩林森，王福，陈义祥申请人：中国科学院理化技术研究所申请号：CN201110296695.9 本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方...[详细]

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