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| 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2013-11-25 20:43:54 浏览次数： |
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专利名称：一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法
专利持有人：上海华力微电子有限公司
所属行业：
内容摘要：本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，添加剂的材质为氮化硅和 或类... |
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发明人：李芳,刘文燕,黄耀东
申请人：上海华力微电子有限公司
申请号：CN201310082090.9
本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，添加剂的材质为氮化硅和/或类氮化硅和/或间接转化为氮化硅的物质和/或氧化硅和/或类氧化硅和/或间接可以转化为氧化硅的物质；该方法从化学源头解决工艺需求，省去进行挡片的工艺步骤，在不减小刻蚀氮化硅速率的同时，有效控制化学液的反应，节约产品制程的时间，进而降低生产成本。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/1125/20131125084542368.pdf
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