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| 硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-11 21:20:15 浏览次数： |
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专利名称：硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
专利持有人：中国科学院理化技术研究所
所属行业：
内容摘要：发明人：李江涛，杨建辉，杨增朝，韩林森，王福，陈义祥申请人：中国科学院理化技术研究所申请号：CN201110296695.9 本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和... |
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发明人：李江涛，杨建辉，杨增朝，韩林森，王福，陈义祥
申请人：中国科学院理化技术研究所
申请号：CN201110296695.9
本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装于料舟内，并放入密闭的可加热耐压的反应炉中，经抽真空后充入一定压力的含氮非氧化性气体。通电预热混合料，温度升至500～900℃，通过局部加热或预埋点火块自燃方式，引发燃烧合成反应，合成后的氮化硅产物随炉冷却，经初碎后得到所述的氮化硅粉体。本发明结合了硅粉高温氮化工艺和硅粉燃烧合成氮化硅工艺的优点，降低了氮化反应温度和合成所需的压力，缩短了生产周期，大幅度降低了氮化硅粉体的生产成本。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926091440935.pdf
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