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一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
来源:中国粉体技术网    更新时间:2013-09-22 09:25:06    浏览次数:
专利名称:一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
专利持有人:上海华力微电子有限公司
所属行业:
内容摘要:本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法,优化了工艺,减小成本,同时能够改善器件性能。
信息描述
发明人:徐强   
申请人:上海华力微电子有限公司 
申请号:CN201210158843.5 
        本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,其中,包括下列步骤:提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层;在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层,所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层,所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜;蚀刻所述PMOS晶体管表面,去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层;对所述半导体衬底进行快速热退火工艺;对所述NMOS晶体管进行刻蚀,去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。本发明的目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法,优化了工艺,减小成本,同时能够改善器件性能。


http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0922/20130922092941221.pdf
 
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