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| 双层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2014-02-20 13:42:17 浏览次数： |
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专利名称：双层氮化硅减反射膜及其制备方法
专利持有人：上海艾力克新能源有限公司
所属行业：
内容摘要：本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜由上、下两层氮化硅膜构成，下层氮化硅膜厚度为10nm～15nm，折射率为2 2～2 5，上层氮化硅膜厚度为70nm～75nm，折射率为2 0～2 05。制备时，取抛光单晶硅片，设定沉积温度、沉积... |
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发明人：戴熙明,陈博,武俊喜
申请人：上海艾力克新能源有限公司
申请号：CN201310060954.7
本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜由上、下两层氮化硅膜构成，下层氮化硅膜厚度为10nm～15nm，折射率为2.2～2.5，上层氮化硅膜厚度为70nm～75nm，折射率为2.0～2.05。制备时，取抛光单晶硅片，设定沉积温度、沉积压强和沉积功率恒定，采用PEVCD工艺在硅片的行进方向上设定两组先小后大的氨气与硅烷的气流量比参数和沉积时间，制得双层氮化硅减反射膜。本发明通过现有资源、在不添加其它设备等材料情况下、在同一台设备上通过两个工艺步骤达到制成两层相同质地但是不同性能参数的减反射膜、从而达到增加晶体硅表面钝化效果、减少晶硅表面的太阳光反射效果、增加硅片对长短波的吸收、提高效率。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2014/0220/20140220015357211.pdf
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