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| 用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-11 21:33:24 浏览次数： |
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专利名称：用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
专利持有人：山东大学
所属行业：
内容摘要：发明人：胡小波，宁丽娜，李娟，王英民，徐现刚申请人：山东大学申请号：CN200810016665.6 本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中,... |
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发明人：胡小波，宁丽娜，李娟，王英民，徐现刚
申请人：山东大学
申请号：CN200810016665.6
本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步骤：(1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中, 将坩埚置于中频感应加热炉中,对生长室抽真空,将温度升高至1000℃；向生长室中充入高纯氩气、氦气或者氩气和氢气的混合物,加热至合成温度1500℃,保持一定的反应时间后降至室温；(3)将一次合成中所得产物粉末混合均匀,在1600℃到2000℃二次合成温度,合成时间2小时-10小时,降至室温即可得到适于半导体SiC单晶生长的高纯SiC粉料。本发明采用二次合成法,不仅可以使初次合成时剩余的Si和C单质完全反应,且有效去除Si粉和C粉中携带的大部分杂质元素。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926090856505.pdf
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