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| 我国自主研发的3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术达到世界先进水平 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2015-03-23 09:42:02 浏览次数： |
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碳化硅单晶衬底 （中国粉体技术网/班建伟）《国家中长期科学和技术发展规划纲要》中的新一代信息功能材料、器件、军工配套关键材料及工程化等，都与第三代半导体——碳化硅晶体有关，《规划纲要》将“高效节能、长寿命的半导体照明产品”列入中长期规划第一重点领域。碳化硅晶体作为多产业的基础原材料，特别广泛的应用于新一代高效、节能电力电子器件上，其新型SiC电力电子器件的开发设计、制造和应用，是节约电能、发展高效节能、长寿命半导体照明产品的重要措施。
 作为以研发、生产、销售碳化硅单晶体(片)为主的我国新能源材料企业，德清州晶自主研发“3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术”，经过国家科技成果评估和鉴定，达到国际先进水平。
突破瓶颈创立品牌
据报道，目前，全球90%~95%的碳化硅晶片用于 光电材料LED制造，预计2016年，全球的碳化硅晶片产值达到20亿美元，以碳化硅(SiC)硅片为基础材料的电子行业的全球市场规模将达到60亿美元，仅美国Cree 公司生产碳化硅单晶圆片，在2012年产量上升到全球产量的90%以上，约为60 万片。世界各国对SiC的研究非常重视，巨资发展碳化硅半导体器件。
碳化硅是一种无机非金属材料，又称金钢砂或耐火砂，是用石英砂、石油焦或煤焦等原料在电阻炉内经高温冶炼而成，硬度大，具有优良的导热、导电性能，高温时能抗氧化。所具有的半绝缘性和稳定性，成为不可替代的用于特种材料制造的基础原材料，被广泛用于制造高温、高压半导体。而高纯度的碳化硅，应用在军事、航空、核能及电力等重要的行业，其发展意义和价值十分重要。
该项目成果可以制备大面积的晶片，提高单位成品制备效率、碳化硅粉纯度高，达到99.999%，容易实现规模化生产、采用一次合成方法，工艺流程少，生产简单，操作易行、能够控制减小微管和位错等缺陷密度，生长高质量大块碳化硅单晶……德清州晶通过对技术、结构、工艺及理论的创新突破，实现了碳化硅原料、晶体生长炉、晶体生长控制技术、以及减少高纯原料杂质技术等一系列技术的研发创新，特别是高温低压晶体生长控制技术，实现了在2300℃高温和低压条件下，轴向温度梯度、径向温度梯度及压力水平的调控，使3英寸半绝缘碳化硅单晶片为半绝缘型，还能用于外延生长。晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米、电阻率达到100492欧姆厘米，电阻值超过了Cree器件的技术标准。晶片达到无微管的水平。
作为节能新生力，德清州晶已有3项国家发明专利和多项核心技术。与国内一些较有实力的电子器件、微波器件、LED有关企业进行了战略合作。目前，建立在浙江省德清县科技创业园内的生产基地，拥有完整的碳化硅单晶生长X射线定向、多线切割、研磨抛光加工线工艺设备，以技术研发、生产、销售、及售后服务体系格局初步形成。
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