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| 泰科天润碳化硅大功率器件突破西方主导地位 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2014-01-21 10:47:42 浏览次数： |
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（中国粉体技术网/刘莉） 1月20日，泰科天润半导体科技(北京)有限公司在京举行了G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息会，鉴定委员会认为该公司的量产工艺方法、产品性能达到了国际同类产品的先进水平。
据悉，经过两年攻关，泰科天润研发的碳化硅肖特基二极管多个产品已成功量产，产品涵盖600V—3300V等中高压范围。其中，600V/10A、1200V/20A等产品成品率达到国际先进水平。
据公司负责人介绍，利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在高电压、大电流、高频率环境下工作，“与传统的硅器件相比，碳化硅电力芯片能够大幅度减少电力设备体积和重量，能大幅降低各项设备系统的整体成本并提高系统的可靠性”。数据表明，属于“宽禁带”的第三代半导体的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同时，提高系统其他部件的功效，可节能20%至90%。
此前，我国功率器件产业整体落后美、欧、日等发达国家，关键技术装备基本依赖国外。此次泰科天润的成功量产，是中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，也突破了美、欧、日在半导体领域的主导地位。
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