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| 北京大学率先研制成功10nm碳纳米管CMOS器件 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2015-04-03 11:51:18 浏览次数： |
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近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在全世界范围内首次成功研制出10纳米碳纳米管CMOS器件，与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5，并在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
课题的研究成果表明在10纳米以下技术节点，碳纳米管CMOS器件相对于硅基CMOS器件具有巨大优势，这将大大增强研究机构和芯片公司对碳纳米管电子学的信心，为2020年之后的集成电路技术的发展和选择奠定重要基础。
该团队下一步将继续优化相关制备工艺，期望最终能够通过技术创新推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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