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一种高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法 |
来源:中国粉体技术网 更新时间:2014-03-19 19:55:55 浏览次数: |
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专利名称:一种高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法
专利持有人:中国矿业大学(北京)
所属行业:
内容摘要:本发明涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间,形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体,其特征在于其层间距d(001)在2 0nm到5 9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内,且嫁接率高,不同于以往简单的表面吸附... |
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发明人:刘钦甫,李晓光,程宏飞,郭鹏
申请人:中国矿业大学(北京)
申请号:CN201310280849.4
本发明涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间,形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体,其特征在于其层间距d(001)在2.0nm到5.9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内,且嫁接率高,不同于以往简单的表面吸附的改性过程。可以将硅烷的多个功能基团与高岭土的特有功能特性相互结合补偿,形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的复合物,甚至与有机母质在原位发生结合而使片层剥离,达到纳米尺度上的充填。本发明在纳米复合材料、橡胶塑料填充材料领域具有较大的应用前景。
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