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| 一种高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2014-03-19 19:55:55 浏览次数： |
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专利名称：一种高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法
专利持有人：中国矿业大学（北京）
所属行业：
内容摘要：本发明涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间，形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体，其特征在于其层间距d(001)在2 0nm到5 9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内，且嫁接率高，不同于以往简单的表面吸附... |
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发明人：刘钦甫,李晓光,程宏飞,郭鹏
申请人：中国矿业大学（北京）
申请号：CN201310280849.4
本发明涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间，形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体，其特征在于其层间距d(001)在2.0nm到5.9nm之间。本发明方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内，且嫁接率高，不同于以往简单的表面吸附的改性过程。可以将硅烷的多个功能基团与高岭土的特有功能特性相互结合补偿，形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的复合物，甚至与有机母质在原位发生结合而使片层剥离，达到纳米尺度上的充填。本发明在纳米复合材料、橡胶塑料填充材料领域具有较大的应用前景。
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