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一种高岭土-胺嫁接复合物的制备方法 |
来源:中国粉体技术网 更新时间:2014-03-19 19:26:39 浏览次数: |
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专利名称:一种高岭土-胺嫁接复合物的制备方法
专利持有人:中国矿业大学(北京)
所属行业:
内容摘要:本发明提出了一种高岭土-胺复合物的制备方法,合成步骤如下,选择200-325目高岭土,提纯去除杂质;将高岭土和插层剂按照质量比1:2与配制好的插层剂溶液混合,在液态条件下对高岭土进行直接插层;插层剂选自下列一种或几种:水合肼、甲酰胺、乙酰胺、甲基甲... |
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发明人:刘钦甫,李晓光,程宏飞,郭鹏
申请人:中国矿业大学(北京)
申请号:CN201310289337.4
本发明提出了一种高岭土-胺复合物的制备方法,合成步骤如下,选择200-325目高岭土,提纯去除杂质;将高岭土和插层剂按照质量比1:2与配制好的插层剂溶液混合,在液态条件下对高岭土进行直接插层;插层剂选自下列一种或几种:水合肼、甲酰胺、乙酰胺、甲基甲酰胺、丙烯酰胺、醋酸钾、二甲基亚砜、尿素、氯化钾;再以液态醇对直接插层高岭土反复淋洗十次,每次为10-48小时,制得高岭土-醇复合物;将高岭土-醇嫁接体在湿润状态下加入胺溶液,磁力搅拌40小时。离心取出沉淀物,干燥,使其析出过量胺,即得高岭土-胺嫁接体。其层间距可随着插入胺分子大小不同而变化,可达到近6.0nm。此种复合物对高岭土的纳米化研究具有重要意义。 |
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