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掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法 |
来源:中国粉体技术网 更新时间:2014-01-15 21:46:48 浏览次数: |
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专利名称:掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法
专利持有人:长春理工大学
所属行业:
内容摘要:掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有掺铒釔铝石榴石晶体Er3+、Y3+离子半径匹配不好,会使晶体容易开裂,铒掺入量受限,激光晶体荧光强度峰值不高;其生长周期较长,在晶体中存在更多的色心缺陷,生长温度较高,铱金坩埚本身有挥发... |
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发明人:曾繁明,李春,林海,刘景和,谷亮,郑东阳,苗东伟,李秦霖,杨晓东,梁璇,方旭光
申请人:长春理工大学
申请号:CN201310081614.2
掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有掺铒釔铝石榴石晶体Er3+、Y3+离子半径匹配不好,会使晶体容易开裂,铒掺入量受限,激光晶体荧光强度峰值不高;其生长周期较长,在晶体中存在更多的色心缺陷,生长温度较高,铱金坩埚本身有挥发,降低晶体质量。本发明之掺铒镱镓石榴石晶体的晶体基质属于立方晶系,铒为激活元素,晶体基质为镱镓石榴石,晶体分子式为Er:Yb3Ga5O12;其生长方法包括生长料制备、晶体生长和退火三个步骤,制备生长料的原料有Er2O3;采用提拉法生长晶体;其特征在于,制备生长料的原料还有Yb2O3、Ga2O3;晶体生长的工艺参数确定为:提拉速度0.5~0.8mm/h,旋转速度12~20rpm,生长温度1740~1760℃,所生长的晶体为掺铒镱镓石榴石晶体。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2014/0115/20140115094752269.pdf
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