专利信息
您当前的位置:首页 > 非金属矿应用 > 石榴石 > 专利信息
 
 
掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法
来源:中国粉体技术网    更新时间:2014-01-15 21:46:48    浏览次数:
专利名称:掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法
专利持有人:长春理工大学
所属行业:
内容摘要:掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有掺铒釔铝石榴石晶体Er3+、Y3+离子半径匹配不好,会使晶体容易开裂,铒掺入量受限,激光晶体荧光强度峰值不高;其生长周期较长,在晶体中存在更多的色心缺陷,生长温度较高,铱金坩埚本身有挥发...
信息描述
发明人:曾繁明,李春,林海,刘景和,谷亮,郑东阳,苗东伟,李秦霖,杨晓东,梁璇,方旭光
申请人:长春理工大学
申请号:CN201310081614.2
       掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有掺铒釔铝石榴石晶体Er3+、Y3+离子半径匹配不好,会使晶体容易开裂,铒掺入量受限,激光晶体荧光强度峰值不高;其生长周期较长,在晶体中存在更多的色心缺陷,生长温度较高,铱金坩埚本身有挥发,降低晶体质量。本发明之掺铒镱镓石榴石晶体的晶体基质属于立方晶系,铒为激活元素,晶体基质为镱镓石榴石,晶体分子式为Er:Yb3Ga5O12;其生长方法包括生长料制备、晶体生长和退火三个步骤,制备生长料的原料有Er2O3;采用提拉法生长晶体;其特征在于,制备生长料的原料还有Yb2O3、Ga2O3;晶体生长的工艺参数确定为:提拉速度0.5~0.8mm/h,旋转速度12~20rpm,生长温度1740~1760℃,所生长的晶体为掺铒镱镓石榴石晶体。



http://www.fentijs.com/uploadfile/2014/0115/20140115094752269.pdf

 
相关信息 更多>>
一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用2013-09-03
石榴石型光电式电流传感器装置及制备方法2013-11-03
石榴石型电流传感装置以及石榴石模块的制备方法2013-11-03
掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法2014-01-15
一种石榴石结构复合激光晶体的制备方法2014-01-15
 
我要评论
非金属矿应用
石英
滑石
石膏
方解石
石墨
云母
珍珠岩
沸石
石棉
膨润土
硅灰石
菱镁矿
萤石
水洗高岭土
煅烧高岭土
蛭石
长石
硅藻土
海泡石
水镁石
查看全部