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| 一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2013-09-03 21:28:01 浏览次数： |
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专利名称：一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用
专利持有人：温州大学
所属行业：
内容摘要：本发明公开了一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用,所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料的化学组成表示式为：Y3-yAl5-xO12:Mnx,Cey,其中x的取值范围为0.01≤x≤0.12,y的取值范围为0≤y≤0.1；所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料通过熔体直拉法制备,本发明的单晶材料... |
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发明人：向卫东;张志敏;陈兆平;钟家松;赵寅生;刘炳峰;梁晓娟;赵斌宇
申请人：温州大学
申请号：CN201210345341.3
本发明公开了一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用,所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料的化学组成表示式为：Y3-yAl5-xO12:Mnx,Cey,其中x的取值范围为0.01≤x≤0.12,y的取值范围为0≤y≤0.1；所述锰掺杂钇铝石榴石单晶材料通过熔体直拉法制备,制备方法包括如下步骤：①将原料Y2O3、Al2O3、CeO2、MnO2或Y2O3、Al2O3、MnO2按化学组成准确称量,混合均匀后压块,于1100-1300℃预烧12-24h；其中确保原料Y2O3、Al2O3的纯度≥99.99%, CeO2、MnO2的纯度≥99.9%；②将预烧后的产物和籽晶转移至晶体炉中,密封后抽真空至10-2-10-4Pa,当炉温到达1000-1300℃时通入惰性保护气体,继续升温至设定温度,所述设定温度在1700-2000℃的范围内；晶体炉的炉温达到设定温度后,保温1-3小时,通过调节炉膛温度使原料熔化,烤籽晶,经过接种、放肩、等径、收尾等过程提拉生长锰掺杂钇铝石榴石单晶；③晶体生长结束以后,以20-80℃/h的速度缓慢降温,降至室温后取出晶体,得到锰掺杂钇铝石榴石单晶材料。
本发明的单晶材料具有色温低、波谱宽、发光强度大等特点,可提高白光LED器件的综合光电性能。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0916/20130916023844197.pdf
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