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| 高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-11 21:39:18 浏览次数： |
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专利名称：高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法
专利持有人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所
所属行业：
内容摘要：发明人：高攀，陈建军，严成锋，刘熙，孔海宽，忻隽，郑燕青，施尔畏申请人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所申请号：CN201210207135.6 本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合... |
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发明人：高攀，陈建军，严成锋，刘熙，孔海宽，忻隽，郑燕青，施尔畏
申请人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所
申请号：CN201210207135.6
本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926090626244.pdf
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