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| 温度对碳化硅粉料合成的影响 |
| 来源：电子工艺技术 更新时间：2013-06-06 10:03:38 浏览次数： |
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中国电子科技集团公司第二研究所田牧等采用高温合成方法生成了高纯碳化硅（SiC）粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应，不需外加添加剂，通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明，在相同反应时间条件下，不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1920℃升高到1966℃时，生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高，SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2000℃时，SiC粉的粒度趋于约20μm。同时，X射线衍射图分析表明，温度高于2000℃时，生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
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