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掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究

来源：激光与红外更新时间：2013-06-30 19:02:59 浏览次数：

韩山师范学院黄锐等采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件。实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540nm,而且电致发光开启电压低,仅为6V,功耗小。光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心。

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