我们的智能手机都含有一块明亮的AMOLED（主动矩阵有机发光二极体，ActiveMatrix／Organic Light Emitting Diode）显示屏。这些显示屏中的每个单像素后面都隐藏着至少两个硅晶体管，这种硅晶体管是基于激光退火技术大批量制造出的。
利用传统方法制备这些材料通常需要1000℃的高温，而激光技术利用较低的温度便可达到相同的效果，甚至可以在塑料（熔点低于300℃）基底上制备。有趣的是，同样的操作工艺也可应用在石墨烯材料的制备上。
利用高分辨透射电子显微镜可观察到，经过30纳秒的激光脉冲，碳化硅（silicon carbide，SiC）基质便会融化分解成碳单层和硅单层。如果施加更多的激光脉冲，碳单层会组成石墨烯结构而硅则汽化分离。
近日，韩国研究人员发现了利用激光诱导固相分离单晶碳化硅（SiC）的石墨烯合成机理。科学家利用高分辨率显微镜图像和分子动力学模拟发现，经30纳秒氯化氙准分子激光器的单脉冲照射熔化SiC时，可形成SiC液相层，其中上层为具有石墨晶畴的无序碳层（约2．5nm厚），下层为多晶硅层（约5nm）。随着脉冲强度增加，可引起硅的升华分离，而无序碳层将转变为多层石墨烯。
该项研究表明：激光材料交互技术可成为下一代二维纳米材料研究的强大工具。未来我们可利用激光诱导复杂化合物相分离，并以此合成新型的二维材料。
资料来源于激光网。
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