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| 一种石墨烯薄膜的制备方法 |
| 来源：中国粉体技术网 更新时间：2016-02-13 09:47:08 浏览次数： |
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专利名称：一种石墨烯薄膜的制备方法
专利持有人：王聪；方小红；陈小源；蔡伟
所属行业：非金属矿加工
内容摘要：本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法，解决了现有生长方法无法在铜箔上生长多层石墨烯，实现多层石墨烯薄膜的大面积制备的问题。 |
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申请号：CN201510778938.0
申请（专利权）人：中国科学院上海高等研究院；
发明人：王聪；方小红；陈小源；蔡伟；
本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法。本发明的石墨烯的制备方法针对现有方法进行改进，通过在金属铜箔表面进行电化学刻蚀，形成多层石墨烯的成核核心，再用化学气相沉积法就可以在铜箔表面生长出2-3层的石墨烯薄膜。本发明可以发面积生长层数可控的多层石墨烯薄膜，对石墨烯的实用化具有重要意义。
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