“十三五”开年之际，科技部的国家重点研发计划的多个重点专项如期而至。在纳米专项当中，石墨烯等纳米碳材料，碳基纳米电子器件，纳米能量存储材料，新型二维原子晶体材料等成为2016年优先支持方向。2月初，科技部官网发布《科技部关于发布国家重点研发计划纳米科技等重点专项2016年度项目申报指南的通知》。根据“自上而下”和“自下而上”相结合的原则，科技部会同相关部门，遵循国家重点研发计划新的项目形成机制，面向2016年凝练形成了若干重点专项并研究编制了各重点专项实施方案，已经国家科技计划（专项、基金等）管理战略咨询与综合评审特邀委员会（以下简称“特邀咨评委”）和部际联席会议审议通过，并按程序报国务院批复同意。
1. 新型纳米制备与加工技术
1.1新型碳纳米材料的制备与光电功能研究
研究内容：手性碳纳米管、石墨烯纳米带、高质量石墨烯（碳单层或少层）和石墨炔等纳米碳材料的宏量可控制备与可控掺杂，碳基纳米结构中的物理新效应与光电功能的高效调控。
考核指标：实现面积大于2平方厘米和密度大于100根/微米的单壁碳纳米管平行阵列的可控制备方法；实现高品质单层石墨烯的连续可控制备方法；建立面积大于平方分米高取向石墨炔薄膜（厚度小于10纳米）的制备技术；建立碳纳米材料在光电子和光电转换器件中的应用关键技术，实现在显示驱动和柔性电子器件中的应用示范。
2. 纳米表征与标准
2.3纳米技术标准与标准样品
研究内容：面向重要纳米产业应用，开展纳米性能检测标准研究，纳米标准物质与标准样品研制，包括纳米技术术语和定义、测量和表征、健康安全和环境、材料规格等。
考核指标：制定纳米结构基本性质的系列纳米技术标准，建立纳米制造技术和重大应用中纳米性能检测的系列标准化方法及评价规范，完成系列国家一级、二级纳米标准物质/标准样品，主持制定纳米技术国家标准20—40项，主导制定国际纳米技术标准（ISO，IEC）10—20项。
3.纳米信息材料与器件
3.2 碳基纳米电子器件与集成
研究内容：高性能碳基纳米晶体管的制备及大规模集成，碳基和半导体集成电路的混合集成。亚10纳米碳基CMOS器件制备技术；芯片用碳管材料的可控和批量制备；新型器件在柔性衬底上的基本科学与技术问题。
考核指标：实现集成电路用高纯半导体碳纳米管材料的批量制备，建立碳基纳米电路与硅基CMOS集成电路的混合集成工艺；碳纳米管平行阵列中半导体纯度大于99%，碳基纳米CMOS场效应晶体管栅长小于10纳米，本征门延时小于0.1 ps，碳基纳米集成电路规模大于1000门级，实现4位碳基CPU的功能演示；实现柔性碳纳米器件在可穿戴装备上的应用。
4新型二维原子晶体材料和器件原理
研究内容：超薄沟道、高载流子迁移率、带隙可调控的高性能二维原子晶体材料的精准构筑和制备，研究带隙、掺杂等关键物性调控以及自旋、能谷等信息单元操控中的科学问题，构建新颖器件原型。
考核指标：发现和合成新的高性能二维原子晶体材料并完成结构和性能表征；制备出宏观尺度、结构完整和性能优异的二维原子晶体薄膜；演示针对下一代高速、低功耗信息处理和高灵敏探测要求的二维原子晶体逻辑器件、高频射频器件、光电子发射和探测器件等，建立相关器件原理和物理模型，发展功能协同与集成技术，占领二维原子晶体材料和器件研究的国际制高点。
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