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| 催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-11 21:15:03 浏览次数： |
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专利名称：催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法
专利持有人：云南大学
所属行业：
内容摘要：发明人：杨宇，熊飞，于方民，潘红星，李亮，靳映霞，王茺申请人：云南大学申请号：CN201010556455.3 本发明涉及一种催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法,属于高α相氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域。本发明包括原料混合处理及催化氮化反应步骤... |
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发明人：杨宇，熊飞，于方民，潘红星，李亮，靳映霞，王茺
申请人：云南大学
申请号：CN201010556455.3
本发明涉及一种催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法,属于高α相氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域。本发明包括原料混合处理及催化氮化反应步骤,是对现有技术的改进。本发明选择FeCl3·6H2O作为催化剂,以Si3N4粉为稀释剂,氮气气氛条件下,在1350～1450℃范围内催化氮化工业Si粉,制得纯度为99.4～99.8％wt,α相氮化硅含量为92～95％wt的氮化硅粉体。本发明的特点是以FeCl3·6H2O作为催化剂,所得氮化硅粉体纯度接近100％,氮化硅粉体中α相氮化硅含量为92～95％wt。本发明生产工艺简单,对设备要求低,易批量生产,是一种简易高效的氮化方法。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926091731261.pdf
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