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| 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-11 21:08:03 浏览次数： |
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专利名称：一种低温制备氮化硅粉体材料的方法
专利持有人：山东大学
所属行业：
内容摘要：发明人：白玉俊，王成国，李木森，王正博，亓永新，朱波，王延相申请人：山东大学申请号：CN200410023753.0氮化硅(Si3N4)粉体材料的制备方法,属于无机非金属粉体材料制备方法技术领域。通过反应、清洗、抽滤、烘干等工艺,制备Si3N4粉体,使用的设备简单而且... |
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发明人：白玉俊，王成国，李木森，王正博，亓永新，朱波，王延相
申请人：山东大学
申请号：CN200410023753.0
氮化硅(Si3N4)粉体材料的制备方法,属于无机非金属粉体材料制备方法技术领域。通过反应、清洗、抽滤、烘干等工艺,制备Si3N4粉体,使用的设备简单而且安全性好,温度只有100℃,反应物的转化率为90％以上,反应产物处理简单,制备工艺稳定,生产效率高。产品高温强度高,耐热、耐磨,化学稳定性好；粉体的尺寸在五十纳米到二百纳米之间。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926091957111.pdf
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