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常压燃烧合成氮化硅粉体的方法
来源:    更新时间:2013-06-11 21:05:51    浏览次数:
专利名称:常压燃烧合成氮化硅粉体的方法
专利持有人:中国科学院理化技术研究所
所属行业:
内容摘要:发明人:李江涛,杨筠,林志明申请人:中国科学院理化技术研究所申请号:CN200410039170.7本发明属于非氧化物超细氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域,涉及常压燃烧合成氮化硅粉体的方法,特别涉及常压连续化燃烧合成氮化硅粉末的方法。本发明是由Si粉和催化剂按...
信息描述
发明人:李江涛,杨筠,林志明   
申请人:中国科学院理化技术研究所
申请号:CN200410039170.7
        本发明属于非氧化物超细氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域,涉及常压燃烧合成氮化硅粉体的方法,特别涉及常压连续化燃烧合成氮化硅粉末的方法。本发明是由Si粉和催化剂按重量份比为Si∶催化剂=94~40∶3~30的比例混合,然后加入氮化硅进行粉体活化处理,随后于常温常压条件下诱发燃烧合成反应。本发明的特点是不需要高压反应装置,只需将粉末松装于耐高温的多孔反应器中,反应即可在微正压的氮气氛或流动氮气或空气中进行。粉体活化处理有利于调整反应温度,合成产物中主要物质是Si3N4,主晶相为占总重量85~95%的α-Si3N4粉。本发明具有生产周期短、节约能源、设备投资少。


http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0926/20130926092111757.pdf
 
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