辽宁科技大学李心慰等以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源,炭黑为碳源,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度(分别为1400、1450、1500、1550℃)、硅源、n(C)∶n(SiO2)对合成碳化硅晶须的影响。结果表明:n(C)∶n(SiO2)为2.4-3.6,合成温度为1500℃,保温3h时,硅溶胶与炭黑反应没有生成碳化硅晶须,硅灰、白炭黑与炭黑反应均生成碳化硅晶须;以硅灰为硅源合成碳化硅晶须的质量及数量明显优于以白炭黑为硅源合成碳化硅晶须;合成碳化硅晶须的最佳n(C)∶n(SiO2)为3.3。
本文所述技术未经本网核实,请用户自行审核,本网不对其真实性负责。 |