|
| |
| SnO2/硅灰石抗静电材料的制备及性能 |
| 来源：硅酸盐学报 更新时间：2013-06-17 14:43:12 浏览次数： |
|
| |
中国矿业大学（北京）贺洋等以硅灰石为原料,五水四氯化锡为沉淀包覆剂,采用化学沉淀法,制备了一种纳米SnO2/硅灰石复合抗静电粉体材料;采用比表面积仪、粒度仪、白度仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和红外光谱仪对复合材料进行了表征,并探讨了复合粉体的抗静电机理。结果表明:硅灰石表面均匀地包覆了一层纳米SnO2,比表面积由3.2m2/g提高到4.7m2/g,中位径D50由7.62mm降低到7.01mm,电阻率从10.683kW·cm降到了2.533kW·cm。
本文所述技术未经本网核实，请用户自行审核，本网不对其真实性负责。
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
