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| 一种一维金红石二氧化钛纳米棒阵列膜的制备方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-13 19:39:05 浏览次数： |
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专利名称：一种一维金红石二氧化钛纳米棒阵列膜的制备方法
专利持有人：
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内容摘要：发明人：林昌健;吕妙强;郑大江申请人：厦门大学申请号：CN201110325519.3 一种一维金红石TiO2纳米棒阵列膜的制备方法,涉及一种染料敏化太阳能电池光阳极材料。提供一种具有高比表面积、可有效提高染料敏化太阳能电池效率的一维金红石TiO2纳米棒阵列膜的制... |
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发明人：林昌健;吕妙强;郑大江
申请人：厦门大学
申请号：CN201110325519.3
一种一维金红石TiO2纳米棒阵列膜的制备方法,涉及一种染料敏化太阳能电池光阳极材料。提供一种具有高比表面积、可有效提高染料敏化太阳能电池效率的一维金红石TiO2纳米棒阵列膜的制备方法。在导电玻璃上制备一层金红石TiO2纳米棒阵列膜,然后经化学刻蚀法制备高比表面积的TiO2纳米棒阵列膜,再把高比表面积的TiO2纳米棒阵列膜在马弗炉中进行退火处理,即得到高比表面积的一维金红石TiO2纳米棒阵列膜光阳极材料,该阵列膜膜层厚度在1～13μm。用于光阳极在染料敏化电池中的效率高达5.75％。该方法具有操作简单、操作时间短、制备过程成本低廉、对染料敏化太阳能电池性能提高明显、易于实现工业化等优点。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0916/20130916045336838.pdf
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