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| 中空碳酸钙方解石晶体的制备方法 |
| 来源： 更新时间：2013-06-12 10:18:20 浏览次数： |
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专利名称：中空碳酸钙方解石晶体的制备方法
专利持有人：
所属行业：
内容摘要：发明人：杜祖亮，吴新志，戴树玺，张兴堂申请人：河南大学申请号：CN200910065119.6 中空碳酸钙方解石晶体的制备方法,属仿生合成领域。该法在无尘箱内进行,包括两个步骤：1)将聚β-苯甲基天门冬氨酸溶于挥发性溶剂中制成铺展液,然后将铺展液滴于去离... |
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发明人：杜祖亮，吴新志，戴树玺，张兴堂
申请人：河南大学
申请号：CN200910065119.6
中空碳酸钙方解石晶体的制备方法,属仿生合成领域。该法在无尘箱内进行,包括两个步骤：1)将聚β-苯甲基天门冬氨酸溶于挥发性溶剂中制成铺展液,然后将铺展液滴于去离子水亚相表面上,使聚β-苯甲基天门冬氨酸铺展成单分子膜,保持一段时间以使溶剂挥发,然 后开始压膜,目标表面压为19～21mN/m,达到目标压后将亚相表面的单分子层转移到疏水基 片上；2)提膜后的基片干燥后斜插入浓度为4.9～5.1mM的碳酸氢钙溶液中使晶体生长20～28h, 晶体生长温度控制在25±1℃。产物经X射线衍射分析确认为方解石晶体；扫描电镜结果显示晶体呈规则的碟状且为中空结构。本发明对实验设备和条件要求较低,可操作性强,可重复性好。
http://www.fentijs.com/uploadfile/2013/0923/20130923090619337.pdf
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